Bipolartransistor KTC3876S

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3876S

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des KTC3876S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC3876S kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3876S-GL liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KTC3876S-O im Bereich von 70 bis 140, die des KTC3876S-Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3876S ist der KTA1505S.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC3876S

Sie können den Transistor KTC3876S durch einen 2SC2859, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, FMMTA05, KST05 oder KTC3876 ersetzen.
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