Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1021-G
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
Verlustleistung, max: 0.35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92S
Pinbelegung des KSD1021-G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSD1021-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1021 liegt im Bereich von 120 bis 400, die des KSD1021-Y im Bereich von 120 bis 240.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1021-G ist der KSB811-G.
