Bipolartransistor 2SC2859

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2859

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SC2859

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2859 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2859-GR liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SC2859-O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SC2859-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2859-Transistor könnte nur mit "C2859" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2859 ist der 2SA1182.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2859

Sie können den Transistor 2SC2859 durch einen 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, FMMTA05, KST05, KTC3876 oder KTC3876S ersetzen.
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