Bipolartransistor KTC3876GL

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3876GL

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des KTC3876GL

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC3876GL kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3876 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KTC3876O im Bereich von 70 bis 140, die des KTC3876Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der KTC3876GL-Transistor ist als "WG" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3876GL ist der KTA1505GL.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC3876GL

Sie können den Transistor KTC3876GL durch einen 2SC2859, 2SC2859-GR, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, 2STR1160, 2STR1230, BC817, BC817-25, BCV72, BCW32, BCW65, BCW65B, BCW66, BCW66G, BCX19, FMMT619, FMMTA05, KST05, KTC3876S, KTC3876S-GL, MMBT100, MMBTA05 oder SMBTA05 ersetzen.
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