Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3876GL
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
Verlustleistung, max: 0.15 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des KTC3876GL
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTC3876GL kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3876 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KTC3876O im Bereich von 70 bis 140, die des KTC3876Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Der KTC3876GL-Transistor ist als "WG" gekennzeichnet.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3876GL ist der KTA1505GL.