Bipolartransistor KSB810-G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 400
• Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92S

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB810-G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB810 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KSB810-O im Bereich von 70 bis 140, die des KSB810-Y im Bereich von 120 bis 240.Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB810-G ist der KSD1020-G.Der 2SA1588 (SOT-323), 2SA1588-GR (SOT-323), BC808 (SOT-23), BC808-25 (SOT-23), BC808-25W (SOT-323), BC808W (SOT-323), KTA1505 (SOT-23), KTA1505GL (SOT-23), KTA1505S (SOT-23) und KTA1505S-GL (SOT-23) ist die SMD-Version des KSB810-G-Transistors.Sie können den Transistor KSB810-G durch einen 2N4953, 2N4954, 2SA1382, 2SA1680, 2SA1761, 2SA952, 2SA952-K, 2SB1116, 2SB1116-K, 2SB1229, 2SB1229-T, 2SB564, 2SB564K, 2SB598, 2SB892, 2SB892-T, 2SB985, 2SB985T, KSB1116, KSB1116-G, KSB1116S, KSB1116S-G, KSB564AC, KSB564ACG, KSB811 oder KSB811-G ersetzen.