Bipolartransistor KSD1021

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD1021

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92S

Pinbelegung des KSD1021

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD1021 kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD1021-G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSD1021-Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD1021 ist der KSB811.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD1021

Sie können den Transistor KSD1021 durch einen 2SC4408, 2SD1207, 2SD1347, 2SD1835, 2SD789 oder KSD471AC ersetzen.
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