Bipolartransistor BD533J

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD533J

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD533J

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD533J kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 75 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD533 liegt im Bereich von 40 bis 0, die des BD533K im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD533J ist der BD534J.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD533J

Sie können den Transistor BD533J durch einen 2N6098, 2N6099, 2N6100, 2N6101, 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD201, BD203, BD301, BD303, BD535J, BD537J, BD705, BD707, BD709, BD743, BD743A, BD743B, BD795, BD797, BD799, BD807, BD809, BD905, BD907, BD909, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, BDX77, MJE2801T, MJE3055T, MJE3055TG, MJF3055 oder MJF3055G ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD536: 50 watts
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