Bipolartransistor BD534J

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD534J

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD534J

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD534J kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 75 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD534 liegt im Bereich von 40 bis 0, die des BD534K im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD534J ist der BD533J.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD534J

Sie können den Transistor BD534J durch einen 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD202, BD204, BD302, BD304, BD536J, BD538J, BD706, BD708, BD710, BD744, BD744A, BD744B, BD796, BD798, BD800, BD808, BD810, BD906, BD908, BD910, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDX78, MJE2901T, MJE2955T, MJE2955TG, MJF2955 oder MJF2955G ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-126 package, BD439G: 36 watts
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