Bipolartransistor BD705

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD705

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD705

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD705 ist der BD706.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD705

Sie können den Transistor BD705 durch einen BD707, BD709, BD905, BD907 oder BD909 ersetzen.
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