Bipolartransistor BCX56-10

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCX56-10

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des BCX56-10

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCX56-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCX56 liegt im Bereich von 63 bis 250, die des BCX56-16 im Bereich von 100 bis 250.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BCX56-10 ist der BCX53-10.
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