Bipolartransistor BCX56-10
Elektrische Eigenschaften des Transistors BCX56-10
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 1.2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-89
Pinbelegung des BCX56-10
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
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