Bipolartransistor BCP56-10

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCP56-10

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des BCP56-10

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BCP56-10 ist der BCP53-10.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCP56-10

Sie können den Transistor BCP56-10 durch einen BCP56, BDP951, BDP953 oder BDP955 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com