Bipolartransistor BCX56

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCX56

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 1.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 63 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des BCX56

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCX56 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCX56-10 liegt im Bereich von 63 bis 150, die des BCX56-16 im Bereich von 100 bis 250.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BCX56 ist der BCX53.
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