Bipolartransistor BD379-25

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD379-25

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 375
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD379-25

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD379-25 kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 375 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD379 liegt im Bereich von 40 bis 375, die des BD379-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD379-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD379-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD379-25 ist der BD380-25.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD379-25

Sie können den Transistor BD379-25 durch einen 2SD1724, 2SD1725, BD237, BD237G, MJE242 oder MJE244 ersetzen.
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