Bipolartransistor FMMT620

Elektrische Eigenschaften des Transistors FMMT620

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110
  • Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des FMMT620

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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