Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC5196R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
Verlustleistung, max: 60 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 100
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SC5196R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC5196R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC5196 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SC5196O im Bereich von 80 bis 160.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC5196R-Transistor könnte nur mit "C5196R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC5196R ist der 2SA1939R.
SMD-Version des Transistors 2SC5196R
Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SC5196R-Transistors.