Bipolartransistor BD249C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD249C

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 115 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 25
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BD249C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD249C ist der BD250C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD249C

Sie können den Transistor BD249C durch einen 2SD1841, 2SD1841-P, 2SD1841-Q, 2SD1842, 2SD1842-P oder 2SD1842-Q ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:

TO-126 package, BD434: 36 watts
TO-126 package, BD434G: 36 watts
TO-126 package, BD437: 36 watts
TO-126 package, BD437G: 36 watts
TO-126 package, BD440: 36 watts

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