Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3181N
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SC3181N
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC3181N kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3181N-O liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SC3181N-R im Bereich von 55 bis 110.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3181N-Transistor könnte nur mit "C3181N" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3181N ist der 2SA1264N.