Bipolartransistor 2SD731

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 170 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
• Verlustleistung, max: 80 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD731-Transistor könnte nur mit "D731" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD731 ist der 2SB695.