Bipolartransistor 2SC5199

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC5199

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-264

Pinbelegung des 2SC5199

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC5199 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC5199O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des 2SC5199R im Bereich von 55 bis 100.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC5199-Transistor könnte nur mit "C5199" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC5199 ist der 2SA1942.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC5199

Sie können den Transistor 2SC5199 durch einen 2SC3280, 2SC3281, 2SC3519, 2SC3519A, 2SC3519A-O, 2SC3519A-P, 2SC3519A-Y, 2SC3907, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5242, 2SC5358, 2SC5948, 2SC5949, 2SC6011, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SD2155, FJA4313, FJL4315, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, MJW3281A, MJW3281AG oder NTE2328 ersetzen.
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