Bipolartransistor 2SD716-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD716-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 110
  • Übergangsfrequenz, min: 12 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SD716-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD716-R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 110 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD716 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SD716-O im Bereich von 80 bis 160.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD716-R-Transistor könnte nur mit "D716-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD716-R ist der 2SB686-R.

SMD-Version des Transistors 2SD716-R

Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD716-R-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD716-R

Sie können den Transistor 2SD716-R durch einen 2SC2563, 2SC2563-R, 2SC2578, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2706, 2SC2706-R, 2SC2837, 2SC3181, 2SC3181-O, 2SC3181-R, 2SC3181N, 2SC3181N-O, 2SC3181N-R, 2SC3182, 2SC3182-O, 2SC3182-R, 2SC3280, 2SC3280R, 2SC3281, 2SC3281R, 2SC3284, 2SC3519, 2SC3519A, 2SC3519A-O, 2SC3519A-P, 2SC3519A-Y, 2SC3854, 2SC3855, 2SC3907, 2SC3907-R, 2SC4467, 2SC4468, 2SC4689, 2SC4689-R, 2SC4690, 2SC4690-R, 2SC5197, 2SC5198, 2SC5199, 2SC5948, 2SC5948-R, 2SC5949, 2SC5949-R, 2SC6011, 2SD1148, 2SD1148-R, 2SD1840, 2SD1841, 2SD1842, 2SD2155, 2SD2155-R, 2SD712, 2SD712R, 2SD731, 2SD998, 2SD998-R, BD245C, BD249C, BD745C, BDV95, FJA4310, KTD718, KTD718-R, KTD718B, KTD718B-R, KTD998, KTD998-R, NTE2328 oder TIP35CA ersetzen.
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