Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1148-R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
Verlustleistung, max: 100 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 110
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SD1148-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1148-R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 110 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1148 liegt im Bereich von 55 bis 160, die des 2SD1148-O im Bereich von 80 bis 160.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1148-R-Transistor könnte nur mit "D1148-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1148-R ist der 2SB863-R.