Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD718B-R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 110
Übergangsfrequenz, min: 12 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des KTD718B-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KTD718B-R kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 110 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD718B liegt im Bereich von 55 bis 160, die des KTD718B-O im Bereich von 80 bis 160.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD718B-R ist der KTB688B-R.