Bipolartransistor KTD718B

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD718B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 12 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des KTD718B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD718B kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD718B-O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des KTD718B-R im Bereich von 55 bis 110.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD718B ist der KTB688B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD718B

Sie können den Transistor KTD718B durch einen 2SC2581, 2SC2706, 2SC2837, 2SC3182, 2SC3182-O, 2SC3280, 2SC3281, 2SC3284, 2SC3519, 2SC3519A, 2SC3519A-O, 2SC3519A-P, 2SC3519A-Y, 2SC3855, 2SC3907, 2SC4468, 2SC5198, 2SC5199, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5358, 2SC5948, 2SC5949, 2SC6011, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SD1148, 2SD2155, 2SD998, FJA4310, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, KTD718, KTD998, MJW3281A, MJW3281AG oder NTE2328 ersetzen.
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