Bipolartransistor BD745B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD745B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 20 A
  • Verlustleistung, max: 115 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 150
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BD745B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD745B ist der BD746B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD745B

Sie können den Transistor BD745B durch einen BD745C oder TIP35CA ersetzen.
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