Bipolartransistor 2SD998

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD998

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SD998

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD998 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD998-O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des 2SD998-R im Bereich von 55 bis 110.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD998-Transistor könnte nur mit "D998" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD998 ist der 2SB778.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD998

Sie können den Transistor 2SD998 durch einen 2SC2581, 2SC2706, 2SC2837, 2SC3182, 2SC3182-O, 2SC3280, 2SC3281, 2SC3284, 2SC3519, 2SC3519A, 2SC3519A-O, 2SC3519A-P, 2SC3519A-Y, 2SC3855, 2SC3907, 2SC4468, 2SC5198, 2SC5199, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5358, 2SC5948, 2SC5949, 2SC6011, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SD1148, 2SD2155, FJA4310, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, KTD718, KTD718B, KTD998, MJW3281A, MJW3281AG oder NTE2328 ersetzen.
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