Bipolartransistor BD245B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD245B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BD245B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD245B ist der BD246B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD245B

Sie können den Transistor BD245B durch einen 2SC3519, 2SC3519-O, 2SC3519-P, 2SC3519-Y, 2SD1840, 2SD1840-P, 2SD1840-Q, 2SD1841, 2SD1841-P, 2SD1841-Q, 2SD1842, 2SD1842-P, 2SD1842-Q, BD245C, BDV67A, BDV67B, BDV67C, BDV67D, BDW83B, BDW83C, BDW83D, MJH11018, MJH11018G, MJH6283, MJH6284, MJH6284G, TTC0001 oder TTC0002 ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD244: 65 watts
  • TO-220 package, BD244C: 65 watts
  • TO-3P package, BD246A: 80 watts
  • TO-3P package, BD249: 125 watts
  • TO-3P package, BD250A: 125 watts
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