Bipolartransistor 2SD712

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD712

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 12 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SD712

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD712 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD712O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des 2SD712R im Bereich von 55 bis 110.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD712-Transistor könnte nur mit "D712" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD712 ist der 2SB688.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD712

Sie können den Transistor 2SD712 durch einen 2SC2563, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2706, 2SC2837, 2SC3181, 2SC3181-O, 2SC3181N, 2SC3181N-O, 2SC3182, 2SC3182-O, 2SC3280, 2SC3281, 2SC3284, 2SC3519, 2SC3519A, 2SC3519A-O, 2SC3519A-P, 2SC3519A-Y, 2SC3854, 2SC3855, 2SC3907, 2SC4467, 2SC4468, 2SC4689, 2SC4690, 2SC5197, 2SC5198, 2SC5199, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5358, 2SC5948, 2SC5949, 2SC6011, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SD1148, 2SD2155, 2SD998, FJA4310, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, KTD718, KTD718B, KTD998, MJW3281A, MJW3281AG oder NTE2328 ersetzen.
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