Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1959-GR
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1959-GR
Der 2SC1959-GR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1959-GR kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1959 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SC1959-O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SC1959-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1959-GR-Transistor könnte nur mit "C1959-GR" gekennzeichnet sein.
