Bipolartransistor 2SC1959

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1959

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC1959

Der 2SC1959 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC1959 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1959-GR liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SC1959-O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SC1959-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1959-Transistor könnte nur mit "C1959" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1959 ist der 2SA562TM.

SMD-Version des Transistors 2SC1959

Der 2SC2859 (SOT-23), 2SC4118 (SOT-323), KTC3876 (SOT-23) und KTC3876S (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1959-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC1959

Sie können den Transistor 2SC1959 durch einen 2SC3916, 2SC3917, 2SC3918, 2SC3919, 2SC3920, 2SC3921, 2SC3922, 2SC3923 oder KSC1008C ersetzen.
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