Bipolartransistor 2SC1959-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1959-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 35 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC1959-O

Der 2SC1959-O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC1959-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1959 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SC1959-GR im Bereich von 200 bis 400, die des 2SC1959-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1959-O-Transistor könnte nur mit "C1959-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1959-O ist der 2SA562TM-O.

SMD-Version des Transistors 2SC1959-O

Der 2SC2859 (SOT-23), 2SC2859-O (SOT-23), 2SC4118 (SOT-323), 2SC4118-O (SOT-323), KSC2859 (SOT-23), KSC2859-O (SOT-23), KTC3876 (SOT-23), KTC3876O (SOT-23), KTC3876S (SOT-23) und KTC3876S-O (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1959-O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC1959-O

Sie können den Transistor 2SC1959-O durch einen 2N3705, 2SC200, 2SC200-O, 2SC2274, 2SC2277, 2SC2655, 2SC2655O, 2SC3202, 2SC3202-O, 2SC3243, 2SC3916, 2SC3917, 2SC3918, 2SC3919, 2SC3920, 2SC3921, 2SC3922, 2SC3923, 2SD863, BC635, BC637, KSC1008C, KSC1008CO, KSC2331, KSC2331O, KTC200, KTC200-O, KTC3202, KTC3202O, KTC3209, KTC3209O oder KTD863 ersetzen.
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