Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB750A-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 4000 bis 10000
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB750A-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB750A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 4000 bis 10000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB750A liegt im Bereich von 1000 bis 10000, die des 2SB750A-Q im Bereich von 2000 bis 5000, die des 2SB750A-R im Bereich von 1000 bis 2500.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB750A-P-Transistor könnte nur mit "B750A-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB750A-P ist der 2SD836A-P.
SMD-Version des Transistors 2SB750A-P
Der BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) und BSP62T3G (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB750A-P-Transistors.
