Bipolartransistor 2SB951A-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB951A-P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
  • Verlustleistung, max: 45 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 4000 bis 10000
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB951A-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB951A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 4000 bis 10000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB951A liegt im Bereich von 2000 bis 10000, die des 2SB951A-Q im Bereich von 2000 bis 5000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB951A-P-Transistor könnte nur mit "B951A-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB951A-P ist der 2SD1277A-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB951A-P

Sie können den Transistor 2SB951A-P durch einen 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6668, 2N6668G, 2SB1228, 2SB886, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF6668, MJF6668G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP146T oder TIP147T ersetzen.
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