Bipolartransistor 2SB750A-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000 bis 2500
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB750A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 1000 bis 2500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB750A liegt im Bereich von 1000 bis 10000, die des 2SB750A-P im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SB750A-Q im Bereich von 2000 bis 5000.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB750A-R-Transistor könnte nur mit "B750A-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB750A-R ist der 2SD836A-R.Der BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) und BSP62T3G (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB750A-R-Transistors.Sie können den Transistor 2SB750A-R durch einen 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6668, 2N6668G, 2SA1488A, 2SA1667, 2SA771, 2SB1481, 2SB547, 2SB751A, 2SB751A-R, BD240B, BD240C, BD242B, BD242C, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BD952, BD954, BD956, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24B, BDW24C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54B, BDW54C, BDW54D, BDW64B, BDW64C, BDW64D, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE702T, MJE703T, MJF15031, MJF15031G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP116, TIP116G, TIP117, TIP117G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP146T oder TIP147T ersetzen.