Bipolartransistor 2SB1227

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1227

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -110 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1500
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB1227

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1227-Transistor könnte nur mit "B1227" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1227 ist der 2SD1829.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1227

Sie können den Transistor 2SB1227 durch einen 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1228, 2SB1252, 2SB1252-P, 2SB1252-Q, 2SB1626, 2SB1626-O, 2SB1626-P, 2SB1626-Y, 2SB601, 2SB601-K, 2SB601-L, 2SB601-M, 2SB673, 2SB885, 2SB886, MJF127, MJF127G, MJF6668, MJF6668G oder TTB1020B ersetzen.
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