Bipolartransistor BDT62B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT62B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT62B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT62B ist der BDT63B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT62B

Sie können den Transistor BDT62B durch einen BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668, MJF6668G oder TIP147T ersetzen.
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