Bipolartransistor BDT64B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT64B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT64B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT64B ist der BDT65B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT64B

Sie können den Transistor BDT64B durch einen BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 oder MJF6668G ersetzen.
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