Bipolartransistor 2SB750A

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000 bis 10000
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB750A kann eine Gleichstromverstärkung von 1000 bis 10000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB750A-P liegt im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SB750A-Q im Bereich von 2000 bis 5000, die des 2SB750A-R im Bereich von 1000 bis 2500.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB750A-Transistor könnte nur mit "B750A" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB750A ist der 2SD836A.Der BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) und BSP62T3G (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB750A-Transistors.Sie können den Transistor 2SB750A durch einen 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6668, 2N6668G, 2SA1488A, 2SA1667, 2SA771, 2SB1481, 2SB547, 2SB751A, BD240B, BD240C, BD242B, BD242C, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BD952, BD954, BD956, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24B, BDW24C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54B, BDW54C, BDW54D, BDW64B, BDW64C, BDW64D, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE702T, MJE703T, MJF15031, MJF15031G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP116, TIP116G, TIP117, TIP117G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP146T oder TIP147T ersetzen.