Bipolartransistor MJF6668G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 3000 bis 15000
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F
• Der MJF6668G ist die bleifreie Version des MJF6668-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJF6668G ist der MJF6388G.Sie können den Transistor MJF6668G durch einen BD546C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48 oder MJF6668 ersetzen.