Bipolartransistor BDX34B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX34B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 70 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDX34B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BDX34B equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDX34B ist der BDX33B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX34B

Sie können den Transistor BDX34B durch einen 2N6668, 2N6668G, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW94B, BDW94C, BDW94CF, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, MJF6668, MJF6668G, TIP146T oder TIP147T ersetzen.

Bleifreie Version

Der BDX34BG-Transistor ist die bleifreie Version des BDX34B.
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