Bipolartransistor BDT60C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT60C

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
Verlustleistung, max: 50 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT60C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT60C ist der BDT61C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT60C

Sie können den Transistor BDT60C durch einen BD652, BDT62C, BDT64C, BDW48, BDW54D, BDW64D, BDW74D oder BDX34D ersetzen.

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