Bipolartransistor 2N6123

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6123

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2N6123

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6123 ist der 2N6126.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6123

Sie können den Transistor 2N6123 durch einen 2N6100, 2N6101, 2N6131, 2N6473, 2N6474, 2N6488, 2N6488G, 2SC2075, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD772, 2SD792, 2SD823, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD909, BD911, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, MJE5180, MJE5181, MJE5182, MJF3055, MJF3055G, NTE291, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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