Caractéristiques électriques du transistor MPSW51AG
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
Tension collecteur-base maximum: -50 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -1 A
Dissipation de puissance maximum: 1 W
Gain de courant (hfe): 60
Fréquence de transition minimum: 50 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Le MPSW51AG est la version sans plomb du transistor MPSW51A
Brochage du MPSW51AG
Le MPSW51AG est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor MPSW51AG
Le transistor NPN complémentaire du MPSW51AG est le MPSW01AG.