Transistor bipolaire 2SB1122-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1122-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB1122-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1122-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1122 est compris entre 100 à 560, celui du 2SB1122-S entre 140 à 280, celui du 2SB1122-T entre 200 à 400, celui du 2SB1122-U entre 280 à 560.

Marquage

Le transistor 2SB1122-R est marqué "BER".

Complémentaire du transistor 2SB1122-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1122-R est le 2SD1622-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1122-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1122-R par 2DA1213, 2SA1213, 2SA1364, 2SB1123, 2SB1123-R, 2SB1124, 2SB1124-R, 2SB766A, BCX52, BCX52-16, BCX53, BCX53-16, BSR31, BSR33, KTA1668 ou KTA1668Y.
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