Transistor bipolaire BC807W

Caractéristiques électriques du transistor BC807W

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -50 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 600
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-323
  • Electrically Similar to the Popular BC327 transistor

Brochage du BC807W

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC807W peut avoir un gain en courant continu de 100 à 600. Le gain en courant continu du BC807-16W est compris entre 100 à 250, celui du BC807-25W entre 160 à 400, celui du BC807-40W entre 250 à 600.

Complémentaire du transistor BC807W

Le transistor NPN complémentaire du BC807W est le BC817W.

Transistor BC807W en boîtier TO-92

Le BC327 est la version TO-92 du BC807W.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com