Transistor bipolaire 2SB1115-YM

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1115-YM

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 2 W
  • Gain de courant (hfe): 135 à 270
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB1115-YM

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1115-YM peut avoir un gain en courant continu de 135 à 270. Le gain en courant continu du 2SB1115 est compris entre 135 à 600, celui du 2SB1115-YK entre 300 à 600, celui du 2SB1115-YL entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1115-YM peut n'être marqué que B1115-YM.

Complémentaire du transistor 2SB1115-YM

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1115-YM est le 2SD1615-GM.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1115-YM

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1115-YM par 2SA1364, 2SB1115A, 2SB1115A-YQ, 2SB1122, 2SB1123, 2SB1124, 2SB766A, 2STF2550, BSR31 ou BSR33.
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