Transistor bipolaire 2SB1122

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 560
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-89

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1122 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 560. Le gain en courant continu du 2SB1122-R est compris entre 100 à 200, celui du 2SB1122-S entre 140 à 280, celui du 2SB1122-T entre 200 à 400, celui du 2SB1122-U entre 280 à 560.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1122 peut n'être marqué que B1122.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1122 est le 2SD1622.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1122 par 2SB1123 ou 2SB1124.