Transistor bipolaire 2SB710A-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB710A-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du 2SB710A-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB710A-R peut avoir un gain en courant continu de 120 à 240. Le gain en courant continu du 2SB710A est compris entre 85 à 340, celui du 2SB710A-Q entre 85 à 170, celui du 2SB710A-S entre 170 à 340.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB710A-R peut n'être marqué que B710A-R.

Complémentaire du transistor 2SB710A-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SB710A-R est le 2SD602A-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB710A-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB710A-R par 2SA1313, 2SA1313-Y, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, BCW89, FMMT2907A, FMMT2907AR, FMMT591, FMMT591Q, FMMTA55, FMMTA56, KN2907AS, KST2907A, KST55, KST56, KTN2907AS, MMBT2907A, MMBT4354, MMBT4355, MMBT4356, MMBTA55, MMBTA56, PMBT2907A, PMBTA56, PMST2907A, SMBTA55 ou SMBTA56.
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