Caractéristiques électriques du transistor 2SB710A-R
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
Gain de courant (hfe): 120 à 240
Fréquence de transition minimum: 200 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: SOT-23
Brochage du 2SB710A-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB710A-R peut avoir un gain en courant continu de 120 à 240. Le gain en courant continu du 2SB710A est compris entre 85 à 340, celui du 2SB710A-Q entre 85 à 170, celui du 2SB710A-S entre 170 à 340.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB710A-R peut n'être marqué que B710A-R.
Complémentaire du transistor 2SB710A-R
Le transistor NPN complémentaire du 2SB710A-R est le 2SD602A-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB710A-R