Transistor bipolaire 2SB1122-T

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
• Gain de courant (h_fe): 200 à 400
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-89

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1122-T peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SB1122 est compris entre 100 à 560, celui du 2SB1122-R entre 100 à 200, celui du 2SB1122-S entre 140 à 280, celui du 2SB1122-U entre 280 à 560.Le transistor 2SB1122-T est marqué "BET".Le transistor NPN complémentaire du 2SB1122-T est le 2SD1622-T.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1122-T par 2SB1115, 2SB1115-YL, 2SB1115A, 2SB1115A-YP, 2SB1123, 2SB1123-T, 2SB1124, 2SB1124-T ou 2STF2360.