Transistor bipolaire 2SB766A-R
Caractéristiques électriques du transistor 2SB766A-R
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 120 à 240
- Fréquence de transition minimum: 200 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-89
Brochage du 2SB766A-R
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB766A-R
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB766A-R
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