Transistor bipolaire 2SB1122-S

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1122-S

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 140 à 280
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB1122-S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1122-S peut avoir un gain en courant continu de 140 à 280. Le gain en courant continu du 2SB1122 est compris entre 100 à 560, celui du 2SB1122-R entre 100 à 200, celui du 2SB1122-T entre 200 à 400, celui du 2SB1122-U entre 280 à 560.

Marquage

Le transistor 2SB1122-S est marqué "BES".

Complémentaire du transistor 2SB1122-S

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1122-S est le 2SD1622-S.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1122-S

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1122-S par 2SA1364, 2SB1115, 2SB1115A, 2SB1123, 2SB1123-S, 2SB1124, 2SB1124-S, 2SB766A, 2STF2550, BSR31 ou BSR33.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com